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<dc:title>1/f Electrical Noise in Planar Resistors: The Joint Effect of a Backgating Noise and an Instrumental Disturbance</dc:title>
<dc:creator>Izpura Torres, José Ignacio</dc:creator>
<dc:subject>Electrónica</dc:subject>
<dc:description>Any planar resistor (channel) close to a conducting layer left floating (gate) forms a capacitor C whose thermal voltage noise (kT/C noise) has a backgating effect on the sheet resistance of the channel that is a powerful source of 1/f resistance noise in planar resistors and, hence, in planar devices. This 1/f spectrum is created by the bias voltage V DS applied to the resistor, which is a disturbance that takes it out of thermal equilibrium and changes the resistance noise that existed in the unbiased device. This theory, which gives the first electrical explanation for 1/f electrical noise, not only gives a theoretical basis for the Hooge's formula but also allows the design of proper shields to reduce 1/f noise.</dc:description>
<dc:publisher>E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)</dc:publisher>
<dc:rights>http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/</dc:rights>
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<dc:type>Artículo</dc:type>
<dc:source>IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, ISSN 0018-9456, 2008-03, Vol. 57, No. 3</dc:source>
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